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  • Effects of the cap layer on the properties of AlN barrier HEMT grown on 6-inch Si(111) substrate

    To cite this article: Yuanyang Xia et al 2020 Mater. Res. Express 7 065902

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  • Investigations of the gate-instability characteristics in Schottky/ohmic type p-Gan gate normally-off AIGan/Gan HEMTs

    Changkun Zeng,Weizong Xu,Yuanyang Xia,Danfeng Pan,Yiwang Wang,Qiang Wang,Youhua Zhu,Fangfang Ren,Dong ZHou,Jiandong Ye,Dunjun Chen,Rong Zhang,Youdou Zheng,and Hai Lu

    2019 The Japan Society of Applied Physics

    https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab52cc

    项目状态:进行中
  • Effects of the cap layer on the properties of ALN barrier HEMT grown on 6-inch Si(111) substrate

    Yuanyang Xia,Youhua Zhu,Chunhua Liu,Hongyuan Wei,Tingting Zhang,YeehengLee,TinggangZhu,Meiyu wang,Li Yi and MeiGe

    IOP Publishing   Mater.Res.Express 7(2020)065902

    Yuanyang Xia1 , Youhua Zhu1,2,3 , Chunhua Liu1 , Hongyuan Wei1 , Tingting Zhang1 , Yeeheng Lee1 , Tinggang Zhu1 , Meiyu wang2 , Li Yi2 and Mei Ge2

    1 CorEnergy Semiconductor Co., LTD, Zhangjiagang 215600, Peoples Republic of China 

    2 School of Information Science and Technology, Nantong University, Nantong 226019, Peoples Republic of China 

    3 Author to whom any correspondence should be addressed.

    1.Xia_2020_Mater._Res._Express_7_065902.pdf


    项目状态:进行中
  • 2018江苏省重点研发计划

    课题名称:蓝宝石基高可靠GaN-HEMT器件制备及应用关键技术研发

    立项时间:2018年

    解决的问题、效益及意义:

    研制出满足智能家电、新能源汽车等应用需求的高可靠性蓝宝石基增强型GaN-HEMT器件。
    项目状态:已结题
  • 2018江苏省重点研发计划

    课题名称:大尺寸、高质量氧化镓超宽禁带功率半导体材料关键技术开发及应用

    立项时间:2018年

    解决的问题、效益及意义:

    在材料外延技术和规模化制备工艺方面取得关键性突破,获得满足功率电子器件要求的高质量、大尺寸、低成本Ga2O3外延晶圆,为我国在先进功率半导体及其电力电子器件领域的发展和实用化提供技术支撑。
    项目状态:已结题
  • 2017国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项

    课题名称:GaN基新型电力电子器件关键技术 课题GaN基功率器件雪崩击穿效应与新型耐压结构

    立项时间:2017年

    解决的问题、效益及意义:

    GaN基器件耐压水平实现突破,达到国际先进水平,阐明GaN基器件的稳定性问题,找到提高器件稳定性方法;尝试GaN基器件在电源中的应用,为推广实用化打下基础。
    项目状态:已结题
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